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系列写数据 技术
擦除数据eeprom的字。
c)允许nvm中断(可选)。
a)在nvmcon寄存器中,选择字擦除数据eeprom,并置1wren位。
d)把“55”写入nvmkey。
f)置1wr位。这将开始擦除周期。
h)当擦除周期结束时wr位会被清零。
把数据字写入数据eeprom的写锁存器中。
把1个数据字编程到数据eeprom中。
b)允许nvm写完成中断(可选)。
c)把“55”写入nvmkey。
d)把“aa”写入nvmkey。
e)置1wr位。这将开始编程周期。
f)查询nvmif位,或者等待nvm中断。
g)当写周期结束时wr位会被清零。
此外,必须置1nvmcon中的wren位来使能写操作。这样的机制,防止由于不可预料的代码执行而意外地写数据eeprom。除非在更新eeprom时,否则wren位应该始终保持清零。硬件不能清零wren位。在写过程启动之后,清零wren位将不会影响当前的写周期。禁止把wr位置1,除非wren位已置1。必须在前一条指令中置1wren位。不能在同一条指令中置1wr和wren位。
对于每个字,如果上述序列(把0x55写入nvmkey,把0xaa写入nvmcon,然后置1wr位)没有严格遵守的话,写操作不会启动。强烈建议在这段代码执行期间,禁止中断。
写周期结束时,硬件清零wr位,非易失性存储器写完成中断标志位(nvmif)置1。用户可以允许这个中断,或者查询这个标志位。nvmif必须由软件清零。
有了组成关键负载的预期组件列表,通过使用估算计算器就可以得到基本负载。对于计算器中没有列出来的it设备以及消防、安全和监控系统的功率需求,应使用下列步骤:解密芯片,基于hms812tl单片机的以上特点,我们芯片解密中心能在短时间内为您完成hms812tl芯片解密等韩国现代hyundai系列单片机解密服务。如果您有hms812tl解密等hyundai芯片解密需求,欢迎来电来访咨询洽谈。各类型硅整流二极管伏安特征、快恢复二极管、肖特基二极管、恒流二极管及其检测方法半导体分为两大家族:一是晶体管二是晶体二极管,不同结构和电气指标的二极管所能胜任的具体应用电路也不同。
66、soj(smallout-linej-leadedpackage)j形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈j字形,故此得名。通常为塑料制品,多数用于dram和sram等存储器lsi电路,但绝大部分是dram。用soj封装的dram器件很多都装配在simm上。引脚中心距27mm,引脚数从20至40(见simm)。因arm的工作频率较高,电路较庞大,所需的芯片制造工艺要求在0。25u以上,成本较高。8位单片机工作频率相对较低,电路较小,所需的芯片制造工艺在0。5u即可,成本较低。
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