芯片解密技术之 编程算法

数据eeprom编程

擦除一行（16个字）

与程序存储器类似，eeprom存储块（block）是通过读表和写表操作访问的。因为eeprom存储器只有16位宽，所以其操作不需要使用tblwth和tblrdh指令。数据eeprom的编程和擦除步骤与闪存程序存储器类似，区别在于数据eeprom为快速数据存取进行了优化。在数据eeprom上可以执行以下编程操作：

编程一个字

在正常操作中（整个vdd工作范围），数据eeprom可读写。与闪存程序存储器不同，在eeprom编程或擦除操作时，正常程序执行不会停止。eeprom擦除和编程操作是通过nvmcon和nvmkey寄存器执行的。编程软件负责等待操作完成。软件可以使用以下三种方法之一检测eeprom擦除或编程操作的完成时间：

用软件查询nvmif位（ifs0<12>）。当操作完成时nvmif位会被置1。

允许nvm中断。当操作完成时，cpu会被中断。isr可以处理更多的编程操作。

eeprom单字编程算法

设置nvmcon寄存器以擦除一个eeprom字。

将要擦除的字的地址写入tblpag和nvmadr寄存器。

将nvmif状态位清零并允许nvm中断（可选）。

将密钥序列写入nvmkey。

将wr位置1。这将开始擦除周期。

查询wr位或等待nvm中断。

将数据字写入数据eeprom写锁存器。

将数据字编程入eeprom。

设置nvmcon寄存器以编程一个eeprom字。

将nvmif状态位清零并允许nvm中断（可选）。

将密钥序列写入nvmkey。

将wr位置1。这将开始编程周期。

查询wr位或等待nvm中断。

eeprom行编程算法

如果需要将多个字编程入eeprom，每次擦除并编程16个字（1行）会比较快。向eeprom编程16个字的过程如下：

读一行数据eeprom（16个字）并以数据“镜像”方式保存到数据ram。要修改的eeprom部分必须处于偶数16字地址边界内。

使用新数据更新数据镜像。

擦除eeprom行。

设置nvmcon寄存器以擦除eeprom的一行。

将nvmif状态位清零并允许nvm中断（可选）。

将密钥序列写入nvmkey。

将wr位置1。这将开始擦除周期。

查询wr位或等待nvm中断。

将16个数据字写入数据eeprom写锁存器。

将一行数据编程到数据eeprom。

设置nvmcon寄存器以编程eeprom的一行。

将nvmif状态位清零并允许nvm中断（可选）。

将密钥序列写入nvmkey。

将wr位置1。这将开始编程周期。

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